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Samsung 860 QVO SSD 2TB SATA 3 V-NAND MLC Disco Duro
Samsung
MZ-76Q2T0BW
Agotado
199,90 €
P.V.P. Canarias
Samsung 860 QVO, 2000 GB, 2.5", 550 MB/s, 6 Gbit/s
Samsung 860 QVO. SDD, capacidad: 2000 GB, Factor de forma de disco SSD: 2.5", Velocidad de lectura: 550 MB/s, Velocidad de escritura: 520 MB/s, Velocidad de transferencia de datos: 6 Gbit/s, Componente para: PC
- Velocidad de transferencia de datos
- 6 Gbit/s
- Recolección activa de elementos no utilizados
- Si
- Interfaz
- Serial ATA III
- Intervalo de humedad relativa durante almacenaje
- 5 - 95%
- Consumo de energía (max)
- 4 W
- Color del producto
- Negro
- Tipo de memoria
- MLC
- Ancho
- 100 mm
- Algoritmos de seguridad soportados
- 256-bit AES
- Profundidad
- 69,8 mm
- Funciones de protección
- Resistente a golpes
- Altura
- 6,8 mm
- Tipo de controlador
- Samsung MJX
- Peso
- 60 g
- Código de Sistema de Armomización (SA)
- 84717070
- Tipo de embalaje
- Caja
- Velocidad de lectura
- 550 MB/s
- Tiempo medio entre fallos
- 1500000 h
- Velocidad de escritura
- 520 MB/s
- Intervalo de temperatura operativa
- 0 - 70 °C
- Lectura aleatoria (4KB)
- 97000 IOPS
- Intervalo de temperatura de almacenaje
- -40 - 85 °C
- Escritura aleatoria (4KB)
- 42000 IOPS
- SDD, capacidad
- 2 TB
- calificación TBW
- 720
- Factor de forma de disco SSD
- 2.5"
- Función DevSleep
- Si
- Consumo de energía (promedio)
- 3 W
- Soporte TRIM
- Si
- Componente para
- PC
| Peso y dimensiones | |
|---|---|
| Ancho | 100 mm |
| Profundidad | 69,8 mm |
| Altura | 6,8 mm |
| Peso | 60 g |
| Control de energía | |
| Consumo de energía (max) | 4 W |
| Consumo de energía (promedio) | 3 W |
| Condiciones ambientales | |
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
| Intervalo de temperatura de almacenaje | -40 - 85 °C |
| Intervalo de humedad relativa durante almacenaje | 5 - 95% |
| Empaquetado | |
| Tipo de embalaje | Caja |
| Otras características | |
| Color del producto | Negro |
| Características | |
| SDD, capacidad | 2 TB |
| Factor de forma de disco SSD | 2.5" |
| Interfaz | Serial ATA III |
| Tipo de memoria | MLC |
| Componente para | PC |
| Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES |
| Velocidad de transferencia de datos | 6 Gbit/s |
| Velocidad de lectura | 550 MB/s |
| Velocidad de escritura | 520 MB/s |
| Lectura aleatoria (4KB) | 97000 IOPS |
| Escritura aleatoria (4KB) | 42000 IOPS |
| Tipo de controlador | Samsung MJX |
| Función DevSleep | Si |
| Soporte TRIM | Si |
| Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
| Funciones de protección | Resistente a golpes |
| Recolección activa de elementos no utilizados | Si |
| calificación TBW | 720 |
| Datos logísticos | |
| Código de Sistema de Armomización (SA) | 84717070 |